Valikko
Foorumi
Uudet viestit
Hae sivustolta
Mitä uutta
Uudet viestit
Uudet profiiliviestit
Viime toiminnot
Jäsenet
Tämänhetkiset kävijät
Uudet profiiliviestit
Hae profiiliviesteistä
Kirjaudu sisään
Rekisteröidy
Yleiskatsaus
Haku
Haku
Hae vain otsikoista
Kirjoittaja:
Uudet viestit
Hae sivustolta
Valikko
Kirjaudu sisään
Rekisteröidy
Asenna sovellus
Install
Ilmaisenergia.info -foorumi yhdistetään Konekansa.net -foorumin osaksi vuoden 2025 aikana.
LUE TÄMÄ
pitääksesi käyttäjätunnuksesi voimassa, kiitos!
Foorumi
Ilmaisenergia.info - Yleiset keskusteluaiheet
Energian varastointi
LiFepo4 akuston rakentaminen
JavaScript pois käytöstä. Saadaksesi kaiken irti sivustosta, ole hyvä ja salli JavaScriptin käyttö selaimessasi.
Käytät vanhentunutta selainta. Selaimesi ei mahdollisesti näytä tätä tai muita sivustoja oikein. Sinun tulisi päivittää selaimesi tai käyttää
vaihtoehtoista selainta.
.
Vastaa viestiketjuun
Viesti
<blockquote data-quote="upnorthandpersonal" data-source="post: 44654" data-attributes="member: 10225"><p>By putting the MOSFETs in parallel, you lower the resistance and thus lower the losses and power dissipation in the BMS.</p><p></p><p>You could do a calculation as follows (for e.g. a 200A JK BMS):</p><p></p><p>Rds_on = 3.2mR typical at 25C per MOSFET. We have 10 pairs on the top and 10 pairs at the bottom for this 200A JK version. These are configured back to back, gives 6.4mR per pair at 25C. These 20 back to back pairs give a resistance of 6.4/20 = 0.32mR. Heating occurring at 200A continuous, P = R I^2 = 12.8W.</p><p></p><p>So, instead of having to dissipate a huge amount of (wasted energy) heat with a large heat sink (which they technically could do), we only have to dissipate 12.8W or so at full 200A rated load. This means you typically don't need a huge heat sink, nor active cooling. In addition, it becomes very obvious with a temperature sensor when something is wrong, before it's too late.</p></blockquote><p></p>
[QUOTE="upnorthandpersonal, post: 44654, member: 10225"] By putting the MOSFETs in parallel, you lower the resistance and thus lower the losses and power dissipation in the BMS. You could do a calculation as follows (for e.g. a 200A JK BMS): Rds_on = 3.2mR typical at 25C per MOSFET. We have 10 pairs on the top and 10 pairs at the bottom for this 200A JK version. These are configured back to back, gives 6.4mR per pair at 25C. These 20 back to back pairs give a resistance of 6.4/20 = 0.32mR. Heating occurring at 200A continuous, P = R I^2 = 12.8W. So, instead of having to dissipate a huge amount of (wasted energy) heat with a large heat sink (which they technically could do), we only have to dissipate 12.8W or so at full 200A rated load. This means you typically don't need a huge heat sink, nor active cooling. In addition, it becomes very obvious with a temperature sensor when something is wrong, before it's too late. [/QUOTE]
Varmistus
Lähetä vastaus
Foorumi
Ilmaisenergia.info - Yleiset keskusteluaiheet
Energian varastointi
LiFepo4 akuston rakentaminen
Käytämme sivuillamme evästeitä voidaksemme tarjota käyttäjille paremman käyttökokemuksen sekä kehittääksemme sivuston toimivuutta.
Jatkamalla sivuston käyttöä, hyväksyt evästeiden käytön.
Hyväksy
Lisätietoja...
Ylös